AUTOMOBILANWENDUNGEN
Dünnschicht-Präzisionswiderstand 0,01%, TC2ppm, Drahtbondable, Antikorrosiv, MELF. Stromsensoren, Metall,...
WeiterlesenDünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Hochfrequenz-Mehrschicht-Chip-Induktivität ist eine verlustarme keramische monolithische Struktur mit hochleitfähigen Metallelektroden, um eine hohe Frequenzleistung zu erreichen. CL-S ist kompakt in verschiedenen Größen, eng toleriert, ausgezeichnete Q, stabile Qualität, was sie zur idealen kleinen Größe von RF-Induktivität in drahtlosen Volumen-, Telekommunikationsanwendungen macht.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Keramikchip-Induktor, Hochfrequenz-, RF-Induktor für hohe SRF, ausgezeichnete Q, überlegbare Temperaturstabilität. Fotolithografischer Einzelschicht-Keramikchip. Stabile Induktivität in Hochfrequenzschaltungen. Hochstabile Konstruktion für kritische Anforderungen. Kleine Größe bis 01005/0201/0402.
Dünnschicht-Präzisionswiderstand 0,01%, TC2ppm, Drahtbondable, Antikorrosiv, MELF. Stromsensoren, Metall,...
WeiterlesenKeramische Hochfrequenz-Chip-Induktoren, klein bis 01005. Dünnschicht-, Mehrschicht-, Drahtgewickelte-,...
WeiterlesenMehrschicht-Keramikkondensator bietet hohe Spannung, hohe Frequenz, geringes Rauschen, hohe Güte, niedrige...
Weiterlesen