薄膜チップインダクタ (ALシリーズ AL01BT3N1)

薄膜チップインダクタ (ALシリーズ AL01BT3N1) / Viking Techは革新的なコンポーネントの設計において経験を持ち、真の製造パートナーを求めるグローバルな顧客にサポートとサービスを提供しています。私たちの目標は、自動車、産業、および3C電子アプリケーション全体で使用されるミニチュアで精密なパッシブコンポーネントの設計、製造、販売のリーダーであることです。

薄膜チップインダクタ (ALシリーズ AL01BT3N1)

AL01BT3N1

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薄膜セラミックチップインダクタ、高周波、高SRF用RFインダクタ、優れたQ、優れた温度安定性。フォトリソグラフィシングシングルレイヤーセラミックチップ。高周波回路での安定したインダクタンス。重要なニーズに対する高い安定性設計。01005/0201/0402の小型サイズ。
AL Series0201 ±0.1nH 3.1nHμH 1 Ω 150mA 8 / 500MHz 6GHz

サイズ公差インダクタンスDCR (Ω) 最大IDC (mA)QSRF
0201±0.13.1nH11508 / 500MHz6GHz

環境特性

Item Requirement Test Method
Inductance As Spec. Measuring equipment and fixture:
0201: HP4287+Agilent 16196C
0402: HP4287+Agilent 16196B
Insulation Resistance >1000MΩ MIL-STD-202 Method 302
Apply 100VDC for 1minute
Damp Heat with Load Δ L ≤ 10% MIL-STD-202 Method 103B
40 ± 2°C, 90 ~ 95% R.H. Max. working voltage for 1000 hrs with 1.5 hrs “ON” and 0.5 hrs “OFF”
Bending Strength As Spec. JIS-C-5201-1 4.33
Bending Amplitude 3mm for 60 seconds
Solderability 95% min. coverage MIL-STD-202 Method 208H
245 ± 5°C for 3 seconds
Resistance to Soldering Heat Δ L ≤ 10% MIL-STD-202 Method 210E
260 ± 5°C for 10 seconds
Dielectric Withstand Voltage >100V MIL-STD-202 Method 301
Apply 100VA (rms) for 1minute
High Temperature Exposure Δ L ≤ 10% MIL-STD-202 Method 108
125 ± 3°C 1000 hours
Low Temperature Storage Δ L ≤ 10% IEC 60068-2-1
Expossed to a temperature of -55 ± 3°C for 2H
Temperature Cycle Δ L ≤ 10% JESD22 Method JA-104
-55°C to 125°C, 10 cycles

☑ Storage Temperature: 15 ~ 28°C; Humidity < 80%RH
☑Shelf Life: 2 years from production date.

リフロー

Ceramic Thin Film Chip Inductor (AL) - Reflow

パッケージング

Reel Specifications & Packaging Quantity (Unit : mm)

Type Ø A Ø B Ø C W T Quantity (EA) Reel Specifications & Packaging Quantity Specifications
AL01 178 ± 1.0 60.0+1.0 13.5 ± 0.70 9.5 ± 1.0 11.5 ± 1.0 10,000
AL02 178 ± 1.0 60.0+1.0 13.5 ± 0.70 9.5 ± 1.0 11.5 ± 1.0 10,000

Paper Tape Specifications

AL Series - Paper Tape Specifications
Type A B W E F P0 P1 P2 Ø D0 T
AL01 0.40 ± 0.05 0.70 ± 0.05 8.00 ± 0.10 1.75 ± 0.05 3.50 ± 0.05 4.00 ± 0.10 2.00 ± 0.05 2.00 ± 0.05 1.55 ± 0.03 0.42 ± 0.02
AL02 0.70 ± 0.05 1.16 ± 0.05 8.00 ± 0.10 1.75 ± 0.05 3.50 ± 0.05 4.00 ± 0.10 2.00 ± 0.05 2.00 ± 0.05 1.55 ± 0.05 0.43 ± 0.03

Remark: Test Method
Test direction: Bar mark faces left

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薄膜チップインダクタ (ALシリーズ AL01BT3N1)メーカー - Viking

台湾に拠点を置くViking Tech Corporationは、1997年以来、主要な薄膜チップインダクタ (ALシリーズ AL01BT3N1)メーカーの一つです。彼らの製品は自動車や電子機器アプリケーション全体で使用されており、製造許容範囲は0.01%、TCRは2 ppmまでで、さまざまなパッケージサイズで提供されています。

TS16949/ ISO9001/ ISO14001 および AEC-Q200 の基準を満たし、Viking は抵抗器の中でもアンチサルファー、アンチサージ、パルス、高電圧、高出力の精密抵抗器を提供しています。これには薄膜抵抗器、厚膜抵抗器、自動車用抵抗器、MELF 抵抗器、電流センス抵抗器などが含まれます。 RFインダクタ、チップインダクタ、パワーインダクタ、可変インダクタ、フェライトチップインダクタ、シールドインダクタ、ワイヤ巻きインダクタ、DIPインダクタなど、低ノイズ、低温係数、高パワーのインダクタを提供しています。

薄膜チップインダクタ (ALシリーズ AL01BT3N1)Vikingは、高品質なパワーレジスタ、パワーインダクタ、アルミ電解コンデンサを提供し、確かな評判を築いてきました。先進技術と25年の経験を持つVikingは、お客様の要求に必ず応えることをお約束します。

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主力製品

自動車アプリケーション

自動車アプリケーション

薄膜精密抵抗器0.01%、TC2ppm、ワイヤーボンダブル、防錆性、MELF。 電流センシング、金属、耐硫黄、サージ、高電圧、TO220/247パッケージ最大100Wまで

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医療アプリケーション

医療アプリケーション

セラミック高周波チップインダクタ、01005までの小型サイズ。薄膜、多層、ワイヤーワウンド、フェライトインダクタ、ビーズ、パワーインダクタ。

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通信アプリケーション

通信アプリケーション

マルチレイヤセラミックコンデンサは、高電圧、高周波、低ノイズ、高Q、低TCRを提供します。NPO、X7R、Y5V、X5Rが幅広い範囲を提供します。

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