フェライトマルチレイヤーインダクタ（MLシリーズ）

0603 / 0805 / 0806 / 1008 / 1206 / Viking Techは革新的なコンポーネントの設計において経験を持ち、真の製造パートナーを求めるグローバルな顧客にサポートとサービスを提供しています。私たちの目標は、自動車、産業、および3C電子アプリケーション全体で使用されるミニチュアで精密なパッシブコンポーネントの設計、製造、販売のリーダーであることです。

フェライトマルチレイヤーインダクタ（MLシリーズ）

0603 / 0805 / 0806 / 1008 / 1206

マルチレイヤーフェライトチップインダクタ- MLシリーズ
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マルチレイヤーフェライトチップインダクタ、小型サイズ、クローズド磁気回路によりクロストークを回避、高密度設置およびリフローはんだ付けに適しています。すべての種類の電子機器、コンピューティング、コンバータで使用されます。

機能

  • クローズド磁気回路によりクロストークを回避。
  • 高密度設置およびリフローはんだ付けに適しています。
  • サイズ 0603 / 0805 / 1206。

アプリケーション

  • パーソナルコンピュータ。
  • 携帯用機器。
  • CD-ROM、ハードディスク、モデム、プリンター。
  • DC-DCコンバーター。
  • DSC、DVC、PDA、DVD、およびHDD。

構造

Ferrite Multilayer Inductors (ML) Construction

部品番号

Ferrite Multilayer Inductors (ML) Part Numbering

標準電気仕様

ML03 Multilayer Ferrite Chip Inductors Type(□:Tolerance):

Part No. Inductance (nH) Tolerance L/Q Freq. (MHz) Q min. SRF (MHz) min. DCR (Ω) max. IDC (mA) max.
ML03□T47N 47 ± 20% 50MHz, 200mV 10 260 0.30 50
ML03□T56N 56 ± 20% 50MHz, 200mV 10 255 0.30 50
ML03□T68N 68 ± 20% 50MHz, 200mV 10 250 0.30 50
ML03□T82N 82 ± 20% 50MHz, 200mV 10 245 0.30 50
ML03□TR10 100 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 240 0.50 50
ML03□TR12 120 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 205 0.50 50
ML03□TR15 150 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 180 0.60 50
ML03□TR18 180 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 165 0.60 50
ML03□TR22 220 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 150 0.80 50
ML03□TR27 270 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 136 0.80 50
ML03□TR33 330 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 125 0.85 35
ML03□TR39 390 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 110 1.00 35
ML03□TR47 470 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 105 1.35 35
ML03□TR56 560 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 95 1.55 35
ML03□TR68 680 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 85 1.70 35
ML03□TR82 820 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 15 75 2.10 35
ML03□T1R0 1000 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 35 65 0.60 25
ML03□T1R2 1200 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 35 60 0.80 25
ML03□T1R5 1500 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 35 55 0.80 25
ML03□T1R5-1 1500 ± 10% 10MHz, 200mV 35 65 0.80 25
ML03□T1R8 1800 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 35 50 0.95 25
ML03□T2R2 2200 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 35 45 1.55 15
ML03□T2R7 2700 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 35 40 1.35 15
ML03□T3R3 3300 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 35 38 1.55 15
ML03□T3R9 3900 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 35 35 1.70 15
ML03□T4R7 4700 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 35 33 2.10 15
ML03□T5R6 5600 ± 10, ± 20% 4MHz, 200mV 35 22 1.55 5
ML03□T6R8 6800 ± 10, ± 20% 4MHz, 200mV 35 20 1.70 5
ML03□T8R2 8200 ± 10, ± 20% 4MHz, 60 mV 30 18 2.10 5
ML03□T100 10000 ± 10, ± 20% 2MHz, 60mV 30 17 1.85 3
ML03□T100-3 10000 ± 10, ± 20% 2MHz, 100mV 30 17 1.30 100
ML03□T220 10000 ± 10, ± 20% 1MHz, 60mV 15 11 2.10 1

☑ Operating temperature range: -40 ~ +125°C

p>ML05 Multilayer Ferrite Chip Inductors Type(□:Tolerance):

Part No. Inductance (nH) Tolerance L/Q Freq. (MHz) Q min. SRF (MHz) min. DCR (Ω) max. IDC (mA) max.
ML05□T47N 47 ± 20% 50MHz, 200mV 20 320 0.20 300
ML05□T56N 56 ± 20% 50MHz, 200mV 20 320 0.20 300
ML05□T68N 68 ± 20% 50MHz, 200mV 20 280 0.20 300
ML05□T82N 82 ± 20% 50MHz, 200mV 20 255 0.20 300
ML05□TR10 100 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 235 0.30 250
ML05□TR12 120 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 220 0.30 250
ML05□TR15 150 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 200 0.40 250
ML05□TR18 180 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 185 0.40 250
ML05□TR22 220 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 170 0.50 250
ML05□TR27 270 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 150 0.50 250
ML05□TR33 330 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 145 0.55 250
ML05□TR39 390 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 135 0.65 200
ML05□TR47 470 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 125 0.65 200
ML05□TR56 560 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 115 0.75 150
ML05□TR68 680 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 105 0.80 150
ML05□TR82 820 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 100 1.00 150
ML05□T1R0 1000 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 75 0.40 50
ML05□T1R2 1200 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 65 0.50 50
ML05□T1R5 1500 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 60 0.50 50
ML05□T1R8 1800 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 55 0.60 50
ML05□T2R2 2200 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 50 0.65 30
ML05□T2R7 2700 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 45 0.75 30
ML05□T3R3 3300 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 41 0.80 30
ML05□T3R9 3900 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 38 0.90 30
ML05□T4R7 4700 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 35 1.00 30
ML05□T5R6 5600 ± 10, ± 20% 4MHz, 200mV 50 32 0.90 15
ML05□T6R8 6800 ± 10, ± 20% 4MHz, 200mV 50 29 1.00 15
ML05□T8R2 8200 ± 10, ± 20% 4MHz, 200mV 50 26 1.10 15
ML05□T100 10000 ± 10, ± 20% 2MHz, 60mV 50 24 1.15 15
ML05□T100-4 10000 ± 20% 2MHz, 100mV 50 24 0.50 300
ML05□T120 12000 ± 10, ± 20% 2MHz, 60mV 50 22 1.25 15
ML05□T150 15000 ± 10, ± 20% 1MHz, 60mV 30 19 0.80 5
ML05□T180 18000 ± 10, ± 20% 1MHz, 60mV 30 18 0.90 5
ML05□T220 22000 ± 10, ± 20% 1MHz, 60mV 30 16 1.10 5

☑ Operating temperature range: -40 ~ +125°C

ML06 Multilayer Ferrite Chip Inductors Type(□:Tolerance):

Part No. Inductance (nH) Tolerance L/Q Freq. (MHz) Q min. SRF (MHz) min. DCR (Ω) max. IDC (mA) max.
ML06□T47N 47 ± 20% 50MHz, 200mV 20 320 0.15 300
ML06□T56N 56 ± 20% 50MHz, 200mV 20 280 0.25 300
ML06□T68N 68 ± 20% 50MHz, 200mV 20 280 0.25 300
ML06□T82N 82 ± 20% 50MHz, 200mV 20 250 0.25 300
ML06□TR10 100 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 20 235 0.25 250
ML06□TR12 120 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 20 220 0.30 250
ML06□TR15 150 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 20 200 0.30 250
ML06□TR18 180 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 20 185 0.40 250
ML06□TR22 220 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 20 170 0.40 250
ML06□TR27 270 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 20 150 0.50 250
ML06□TR33 330 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 20 145 0.60 250
ML06□TR39 390 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 135 0.50 200
ML06□TR47 470 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 125 0.60 200
ML06□TR56 560 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 115 0.70 150
ML06□TR68 680 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 105 0.80 150
ML06□TR82 820 ± 10, ± 20% 25MHz, 200mV 25 100 0.90 150
ML06□T1R0 1000 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 75 0.40 100
ML06□T1R2 1200 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 65 0.50 100
ML06□T1R5 1500 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 60 0.50 80
ML06□T1R8 1800 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 55 0.50 70
ML06□T2R2 2200 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 50 0.60 60
ML06□T2R7 2700 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 45 0.60 60
ML06□T3R3 3300 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 41 0.70 60
ML06□T3R9 3900 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 38 0.80 50
ML06□T4R7 4700 ± 10, ± 20% 10MHz, 200mV 45 35 0.90 50
ML06□T5R6 5600 ± 10, ± 20% 4MHz, 200mV 45 32 0.70 25
ML06□T6R8 6800 ± 10, ± 20% 4MHz, 200mV 45 29 0.80 25
ML06□T8R2 8200 ± 10, ± 20% 4MHz, 200mV 45 26 0.90 25
ML06□T100 10000 ± 10, ± 20% 2MHz, 60mV 45 24 1.00 25
ML06□T120 12000 ± 10, ± 20% 2MHz, 60mV 45 22 1.05 15
ML06□T150 15000 ± 10, ± 20% 1MHz, 60mV 35 19 0.70 5
ML06□T180 18000 ± 10, ± 20% 1MHz, 60mV 35 18 0.75 5
ML06□T220 22000 ± 10, ± 20% 1MHz, 60mV 35 16 0.90 5
ML06□T270 27000 ± 10, ± 20% 1MHz, 60mV 35 14 0.90 5
ML06□T330 33000 ± 10, ± 20% 1MHz, 60mV 35 13 1.05 5

☑ Operating temperature range: -40 ~ +125°C

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RoHSレポート
リーチ

REACH声明 - SVHC（新竹）.pdf

結果 145 - 148 の 148
1234
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多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT1R8)

多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT1R8)

多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT1R8)

1008

±20%

1.8

0.163

1500

50MHz

1MHz, 250mV
多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT1R8)
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多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT2R2)

多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT2R2)

多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT2R2)

1008

±20%

2.2

0.213

1300

40MHz

1MHz, 250mV
多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT2R2)
リストに追加する
問い合わせ
多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT3R3)

多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT3R3)

多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT3R3)

1008

±20%

3.3

0.2

1200

30MHz

1MHz, 250mV
多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT3R3)
リストに追加する
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多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT4R7)

多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT4R7)

多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT4R7)

1008

±20%

4.7

0.25

1100

25MHz

1MHz, 250mV
多層フェライトチップインダクタ (MLシリーズ MLH08MT4R7)
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結果 145 - 148 の 148
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フェライトマルチレイヤーインダクタ（MLシリーズ）メーカー - Viking

台湾に拠点を置くViking Tech Corporationは、1997年以来、主要なフェライトマルチレイヤーインダクタ(MLシリーズ)製造メーカーの1つです。そして、その製品は自動車、電子機器アプリケーションで広く使用されています。

TS16949/ ISO9001/ ISO14001 および AEC-Q200 の基準を満たし、Viking は抵抗器の中でもアンチサルファー、アンチサージ、パルス、高電圧、高出力の精密抵抗器を提供しています。これには薄膜抵抗器、厚膜抵抗器、自動車用抵抗器、MELF 抵抗器、電流センス抵抗器などが含まれます。 RFインダクタ、チップインダクタ、パワーインダクタ、可変インダクタ、フェライトチップインダクタ、シールドインダクタ、ワイヤ巻きインダクタ、DIPインダクタなど、低ノイズ、低温係数、高パワーのインダクタを提供しています。

Vikingは、高品質なパワーレジスタ、パワーインダクタ、アルミ電解コンデンサを提供し、確かな評判を築いています。先進技術と25年の経験を持つVikingは、お客様の要求に必ず応えることをお約束します。

アプリケーション

自動車アプリケーション

自動車アプリケーション

薄膜精密抵抗器0.01％、TC2ppm、ワイヤーボンダブル、防錆性、MELF。 電流センシング、金属、耐硫黄、サージ、高電圧、TO220/247パッケージ最大100Wまで

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医療アプリケーション

医療アプリケーション

セラミック高周波チップインダクタ、01005までの小型サイズ。薄膜、多層、ワイヤーワウンド、フェライトインダクタ、ビーズ、パワーインダクタ。

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通信アプリケーション

通信アプリケーション

マルチレイヤセラミックコンデンサは、高電圧、高周波、低ノイズ、高Q、低TCRを提供します。NPO、X7R、Y5V、X5Rが幅広い範囲を提供します。

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